Североамериканская Freescale и французская Soitec распространили сообщение о совместной разработке, позволяющей улучшить показатели подвижности носителей заряда в КМОП (CMOS) микросхемах, изготовленных с использованием технологии «напряженного» кремния на изоляторе (strained silicon-on-insulator, sSOI) и соблюдением норм менее 65 нм.
Сообщается, что изготовленные по технологии sSOI 45-нм КМОП-транзисторы обладают подвижностью заряда, примерно на 70% большей, чем обычные КМОП-транзисторы. Утверждается также, что для элементов, чей размер не меньше 40 нм, релаксации (возврата в обычное состояние) напряженного кремния не наблюдается, что делает этот материал подходящим для коммерческого использования.
Совместную работу Soitec и Freescale (тогда еще Motorola SPS) начали два года назад. В реализованной компаниями технологии sSOI используется КМОП-процесс разработки Freescale и технологию Soitec Smart Cut.