Одновременно две японские компании опубликовали пресс-релизы, посвященные XDR DRAM. Первая весточка — от Elpida, которая сообщила о выпуске 512 Мбит компонентов XDR DRAM — в ограниченных количествах; серийное же производство микросхем запланировано на вторую половину 2005 года. Тактовая частота работы микросхем — 3,2 ГГц, что обеспечивает пропускную способность 6,4 Гб/с. Память, как отмечается в пресс-релизе, ориентирована в первую очередь на использование в бытовой электронике — цифровых телевизорах, «домашних серверах», которые предъявляют повышенные требования к пропускной способности памяти для поддержки high-end графики, мультимедийных потоков и т.п.
Организация 512 Мбит компонентов XDR DRAM компании (EDX5116ABSE) — 4M word x 16-bit x 8 bank, тактовая частота работы — 2,4/3,2 и 4,0 ГГц, что позволяет превысить пиковую пропускную способность компонентов DDR2 SDRAM в 4 раза. Микросхемы, как сообщается, выполнены с использованием 0,10-мкм техпроцесса и предлагаются в 104-контактных FBGA-корпусах. Что касается прочих параметров компонентов, то они достаточно стандартны: время такта — 40 нс, питание (VDD) — 1,8±0,09 В, интерфейс — DRSL (Differential Rambus Signaling Level).
Второй пресс-релиз — Toshiba, которая демонстрировала 512 Мбит компоненты XDR DRAM с тактовой частотой 3,2 ГГц в далеком 2003 году. На сей раз компания представила микросхемы все той же плотности, но с тактовой частотой уже 4,8 ГГц (TC59YM916BKG) при напряжении питания 1,8 В, поставки образцов новинок уже осуществлены. Время такта, организация, напряжение питания микросхем, интерфейс идентичны показателям микросхем Elpida. Микросхемы выполнены в BGA-корпусе и предназначены для использования в первую очередь в мультимедийных устройствах, в частности, новой игровой приставке PS от Sony.
Стоит напомнить, что на начальном этапе 512 Мбит микросхемы XDR DRAM производились по 0,13-мкм технологии, после чего компания начала осуществлять переход на 0,11-мкм технологию (уж не это ли первые образцы?), серийное производство микросхем по новому техпроцессу было запланировано на текущий год. В 2006 году компания надеется перейти на 90-нм технологию. Год назад руководство Toshiba сообщило о том, что XDR DRAM станет одним из приоритетных направлений развития компании и, похоже, программа постепенно реализуется в жизнь. Что же, пока все указывает на то, что стремление Rambus сделать XDR DRAM mainstream-памятью к 2006 году — отнюдь не пустые слова.