Помимо концептов мобильных ПК, в ходе Intel Developer Forum были представлены новые образцы флэш-памяти, выпущенные с соблюдением норм 90-нм и 65-нм техпроцесса.
90-нм микросхемы NOR флэш-памяти, выполненные по технологии многоуровневых ячеек (MLC, multi-level cell) семейства Sibley, работают на тактовой частоте до 108 МГц и обеспечивают скорость записи до 500 Кбит/с. Как полагает Intel, эти чипы, чья емкость достигает 512 Мбит, будут интересны производителям сотовых телефонов.
Вместе с микросхемами флэш-памяти было продемонстрировано программное обеспечение Naubinway, являющимся следующим поколением файловой системы флэш-памяти FDI (Flash Data Integrator), предназначенной для хранения мультимедийных данных.
Наконец, семейство продуктов флэш-памяти Sixmile предназначено для рынка встраиваемых систем и, надо полагать, будет применяться для 65-нм технологических процессов.