Компания Renesas Technology сообщила о разработке магниторезистивной RAM (Magnetoresistive Random Access Memory), предназначенной для использования в составе систем-на чипе. Точнее, производитель продемонстрировал прототип 1 Мбит MRAM, выполненной с использованием норм 0,13-мкм CMOS техпроцесса.
По результатам проведенных испытаний инженеры компании сообщили, что тактовая частота работы микросхемы составила 143 МГц при напряжении питания 1,2 В. Количество циклов перезаписи, выдержанных прототипами, составило свыше 1 трлн., (при темпе6ратуре 150°С), при этом ухудшения характеристик не обнаружено; время чтения данных из ячейки составило, согласно результатам тестирования, 5,2 нс.
Напомним, что при производстве MRAM используются магнитный материал (часто используемый в магнитных считывающих головках) и переход с магнитным туннелированием (Magnetic Tunnel Junction, MTJ). Производительность MRAM зависит от структуры и состава MTJ. Исследования, проведенные Renesas совместно с Mitsubishi Electric, заключались в изучении зависимости величины магниторезистивного соотношения от резистивной поверхности перехода.
Продемонстрированные прототипы MRAM имеют архитектуру 1T-1MTJ (1 транзистор и 1 переход на ячейку памяти), размер элемента магниторезистивного туннеля (TMR (tunnel magneto-resistance) element) составляет 0,26x0,44 µм², размер ячейки памяти – 0,81 µм².