Компания ProMOS Technologies начинает пилотное производство компонентов DDR2 SDRAM под собственной торговой маркой, начало серийного производства запланировано на третий квартал 2005 года. Как сообщил на проведенной сегодня пресс-конференции президент компании, пилотное производство 256 Мбит 667/800 МГц компонентов начато на 8-дюймовой фабрике, а выпуск 512 Мбит 400 и 533 МГц компонентов – на 12-дюймовой фабрике компании. Все микросхемы выпускаются с использованием 0,11-мкм техпроцесса и пока не проходили сертификацию Intel.
Несмотря на то, что компания присоединилась к ряду производителей DDR2 SDRAM одной из последних, ProMOS готова придерживаться агрессивного расписания увеличения выпуска микросхем памяти нового поколения. Как отметил один из источников, доля DDR2 SDRAM в третьем квартале 2005 года будет составлять 40-50% от общего объема производства ProMOS, а в четвертом квартале будущего года этот показатель может увеличиться до 60%.
Как отмечают источники, планы ProMOS могут конкурировать с планами Samsung и Nanya Technology. По оценкам специалистов Samsung планирует зарезервировать в 4 квартале [будущего года] под выпуск DDR2 SDRAM около 44% всех мощностей, выпускающих системную память, Nanya – около 50% мощностей.