Как сообщила вчера IBM, компании удалось реализовать технологию изготовления транзисторов на напряженном германии (strained germanium). Так же, как и в случае напряженного кремния (strained silicon), «изюминка» технологии состоит в том, что в кристалле полупроводника создается механическое напряжение, приводящее к увеличению подвижности носителей заряда и, как следствие, улучшению характеристик транзисторов, в частности, величин электрических токов.
По данным IBM, транзисторы, выполненные из напряженного германия, обладают втрое лучшими параметрами по сравнению с транзисторами из обычного кремния. Как полагает компания, применение технологии напряженного кремния будет необходимо для изготовления интегральных микросхем с соблюдением норм 32-нм и менее. Сообщается, что ключевым моментом технологии является создание тонкого слоя германия на затворе транзистора.
Принято считать, что германий, несмотря на ряд недостатков (например, большое значение порогового напряжения p-n перехода), обладает лучшей проводимостью, чем кремний. Исследования IBM позволяют заключить, что для полупроводниковых микросхем, которые будут изготавливаться по нормам 32 нм и менее, германий окажется более предпочтительным материалом, чем кремний, так как для малых размеров элементов подвижность носителей зарядов является критическим параметром. И хотя компания привела сравнение своих транзисторов с транзисторами на обычном кремнии, утверждается, что напряженный германий позволяет добиться лучших результатов, чем напряженный кремний.
От себя заметим, что германиевые или гибридные кремний-германиевые технологические процессы, а, судя по всему, именно о таком процессе и идет речь, как правило, являются более трудоемкими и дорогими, чем кремниевые, да и используются они куда реже. И хотя до начала массового производства микросхем по 32-нм нормам еще должно пройти немало лет, возможно, что по соображениям экономической целесообразности даже IBM вряд ли пойдет на использование напряженного германия, разве что в единичных случаях.