Samsung Electronics объявила о выпуске буферизованных модулей DDR2-памяти (FB DIMM, Fully Buffered Dual In-line Memory Module) объемом 1 ГБ. Большинство модулей Samsung выпускается в небуферизованном (unbuffered) варианте или в виде регистровых (registered) модулей памяти.
Архитектура FB DIMM такова, что помимо добавленной к каждому модулю буферной памяти, в ней используется технология прямой связи между модулем памяти и обращающимся к нему процессором или устройством (point-to-point link), при этом обмен данными происходит по общей последовательной шине, что позволяет ускорить работу с памятью в одно- и многопроцессорных серверах. Утверждается, что скорость работы с буфером модуля FB DIMM составляет от 3,2 до 4,8 Гбит/с, что примерно в шесть раз выше, чем скорость записи/чтения самой DRAM.
Samsung планирует начало массового производства FB DIMM в первой половине 2005 года.