На проходящем в эти дни симпозиуме NVMTS2004 (Non-Volatile Memory Technology Symposium 2004), Texas Instruments и Ramtron объявили о разработке ферроэлектрических FRAM-чипов емкостью до 4 Мбит.
Если быть точным, то речь идет о встроенной (eFRAM, embedded ferroelectric random access memory) памяти, которая будет использована в системах-на-чипе (SoC, System-on-Chip). Дизайн eFRAM, представленный TI и Ramtron на симпозиуме, выполнен с соблюдением норм 130 нм с применением медных проводников и подложки из фторосиликатного стекла. Как ожидается, первые коммерческие продукты с FRAM будут доступны в начале 2005 года.
Поскольку Ramtron уже имеет опыт разработки FRAM-микросхем, то в рамках соглашения TI также будет выпускать чипы Ramtron на своих производственных линиях. Кроме TI, 1-Мбит чипы FRAM для Ramtron будет выпускать Fujitsu. К концу 2005 году TI планирует начать выпуск дискретных FRAM-чипов под собственной торговой маркой.
Стоит отметить, что, если верить заявлениям компаний, размер ячейки eFRAM существенно меньше размеров ячейки SRAM, применяемой для встраиваемой памяти. При этом ферроэлектрическая память является энергонезависимой, время записи одного бита не превышает 35 нс. Существующие прототипы FRAM выпускаются преимущественно по нормам 0,35 мкм.