Согласно данным DRAMeXchange, мировой выпуск DRAM в октябре увеличился за месяц на 3,7% — до 421,8 млн. условных микросхем (256 Мбит), в то время как выпуск DDR2 вырос на 48,4% — до 41,9 млн. микросхем. 4 из 5 регионов, выпускающих DRAM, сообщили о росте выпуска; на первом месте – Тайвань, с темпом роста выпуска 5,3%, на втором месте – Южная Корея (5,3%), на третьем – США – 2,8%, на четвертом – Япония – 2,5%, на 5 месте – Германия, выпуск DRAM в регионе сократился на 7,7% (результат снижения выпуска Infineon Technologies SDR SDRAM высокой плотности на 60%).
| Мировой выпуск DDR SDRAM (сентябрь-октябрь), условных микросхем | |||
| Октябрь | Месячное изменение | Сентябрь | |
| Южная Корея | 181.7 | 5.3% | 172.6 |
| Германия | 74.1 | —7.7% | 80.3 |
| Тайвань | 82.4 | 13.5% | 72.6 |
| США | 54.4 | 2.8% | 52.9 |
| Япония | 29.2 | 2.5% | 28.5 |
| Итого | 421.8 | 3.7% | 406.9 |
| Мировой выпуск DDR2 SDRAM (сентябрь-октябрь), условных микросхем | |||
| Октябрь | Месячное изменение | Сентябрь | |
| Южная Корея | 28.0 | 47.4% | 19.0 |
| Германия | 3.0 | 0.0% | 3.0 |
| Тайвань | 1.3 | 530.0% | 0.2 |
| США | 5.0 | 42.9% | 3.5 |
| Япония | 4.6 | 84.0% | 2.5 |
| Итого | 41.9 | 48.4% | 28.2 |