Samsung представляет 2,5-Гбит чип флэш-памяти

Очередной рекорд плотности памяти от Samsung: компания представила микросхему (выполненную по технологии MCP, multi-chip package) NAND флэш-памяти емкостью 2,5 Гбит, предназначенную для использования в сотовых телефонах. Собственно, последнее обстоятельство является ключевым – Samsung уже демонстрировала MCP емкостью аж в 6 Гбит, однако для сотовых телефонов еще никто подобными вещами не занимался.

В микросхему встроено два чипа NAND флэш-памяти емкостью 1 Гбит и два чипа емкостью 256 Мбит, используемых в качестве буфера для наиболее часто используемых данных.

Утверждается, что скорость работы микросхемы достаточна для записи/просмотра видеофрагментов разрешения 320х240. Напряжение питания – 1,8 В.

6 сентября 2004 в 22:38

Автор:

| Источник: Parasound

Все новости за сегодня

Календарь

сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30