Продолжая наращивать мощности, корейская Samsung Electronics сообщила о планах строительства новой 300-мм фабрики, на которой будет использоваться 65-нм техпроцесс. Основным наименованием, которое будет выпускаться на фабрике, станет, разумеется, NAND-флэш (в настоящее время компоненты, выполненные с использованием этого техпроцесса, включая 8 Гбит микросхемы NAND-флэш, выпускаются в пилотном режиме на существующих линиях).
Напомним, что на сегодняшний день у Samsung есть 300-мм фабрика в Хвасунге; на ее линиях выпускаются микросхемы DDR2 SDRAM, выполненные с использованием норм 100-нм техпроцесса. Одновременно с этим, на этой же фабрике выпускаются 2 Гбит микросхемы NAND-флэш – по 90-нм технологии.
К сожалению, представители компании пока не назвали точных сроков ввода фабрики в эксплуатацию – было отмечено лишь, что это произойдет «через несколько лет». Что касается производства 8 Гбит микросхем NAND-флэш, то компания планирует представить образцы этих компонентов к концу года и начать серийное производство в 2006 году. Как отмечают руководители Samsung, основная цель, решаемая в настоящее время – ежегодное двухкратное увеличение плотности микросхем. Как уже упоминалось сегодня, корейский производитель по-прежнему остается в лидерах и, вполне вероятно, после запуска новой фабрики сохранит статус-кво.