Компания Hynix Semiconductor сообщила о выпуске 4 Гб registered DIMM, выполненных на 1 Гбит компонентах DDR2 533 SDRAM (0,11-мкм техпроцесс) – 36 компонентов, и 2 Гб SO-DIMM (16 компонентов DDR2 533 SDRAM).
Выпуск новых наименований приурочен к представлению Intel чипсетов, поддерживающих DRAM нового поколения. По мнению руководства компании, предложение новых DDR2 решений позволит Hynix удержать свои позиции как на мировом рынке памяти вообще, так и в секторе DDR2 SDRAM в частности.
Напомним, что к настоящему моменту корейский производитель уже представил 1 Гб DDR2 registered модули (RDIMM) для серверов и высокопроизводительных рабочих станций, выполненные также на 1 Гбит компонентах:
- VDD = 1,8 В, VDDQ = 1,8 В
- I/O = SSTL_18
- Линейная скорость обмена данными: 533 Мбит/с на контакт
- Производительность: до 4300 Мб/с в 64-разрядных системах
- Поддерживаемые длины пакетов: 4 или 8
- Задержка на запись данных: WRITE latency = READ latency — 1 такт
- Дифференциальное стробирование (differential strobe)
- Внешняя калибровка выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD)
- Встроенная терминация (on-die termination, ODT)