Продолжая претворять в жизнь политику снижения стоимости производства, японская Renesas Technology сообщила о планах закрытия производства в Германии, Renesas Semiconductor Europe (Alsdorf) GmbH. Деятельность компании будет свернута в этом году, производство микроконтроллер, SRAM, NOR-флэш будет перенесено на территорию Японии. На текущий момент информации о сокращении рабочих мест не поступало – хотя штат RSEA – 520 инженеров. Судя по всему, окончательные условия закрытия предприятия будут обсуждаться чуть позже.
Отдельным пресс-релизом компания сообщила о разработке superSRAM, в которых реализованы ячейки нового типа; как отмечается в пресс-релизе компании, теоретически новая SRAM свободна от "мягких ошибок" (soft errors) – за счет реализации в ячейках SRAM технологии конденсаторов ячеек DRAM. Новые микросхемы памяти предназначены для использования в мобильных устройствах. Детали технологии Renesas намерена сообщить сегодня на симпозиуме 2004 Symposium on VLSI Technology. Вкратце же можно отметить следующее:
- Количество возникающих ошибок superSRAM в несколько десятков раз меньше, нежели у 16 Мбит микросхем low-power SRAM, выполненных с использованием 0,13-мкм техпроцесса (без ECC) – за счет использования цилиндрических конденсаторов, используемых в DRAM.
- Размеры ячейки уменьшены до 0.98 µм2, что на 50% меньше размеров ячеек SRAM Renesas, выполненных по 0,15-мкм CMOS технологии. В конечном счете, это позволит сократить размеры микросхем памяти. И еще: ток, необходимый для хранения данных в ячейке, сокращен до 1 µA
- Одним из основных преимуществ новой разработки является то, что можно использовать существующий, 0,15-мкм техпроцесс и тем самым сэкономить на модернизации технологии