IMEC, независимая исследовательская организация, специализирующаяся на разработке и производстве технологий интегральных схем, разработала прототип ячейки памяти, позволяющей хранить 9 бит. Потенциально технология позволит четырехкратного увеличения плотности микросхем памяти по сравнению с нынешними микросхемами, в которых реализована технология плавающего затвора.
Обычно в одной ячейке (флэш)-памяти хранится один бит, ситуацию попыталась изменить израильская компания Saifun Semiconductor, разработавшая технологию, позволяющая "хранить" по одному биту на каждом конце затвора. В терминах FASL LLC эта память именуется MirrorBit, Macronix International – Nbit. Израильская компания сообщила о планах по дальнейшей работе над технологией – с тем, чтобы позволить "запихивать" в одну ячейку 4 бита.
Инженеры IMEC, однако, обогнали коллег из израильской компании и анонсировали ScanROM, одна ячейка которой хранит до 9 бит. Детали разработки компания обещает представить на симпозиуме VLSI Technology and Circuits, который пройдет в середине июня. ScanROM базируется на транзисторе с двумя затворами; со стороны стока затвора размещен ONO-диэлектрик. На текущий момент пока не сообщалось ни о том, какой производственный процесс использовался IMEC, ни о типе транзистора – планарный он или вариация на тему finFET. В завершение стоит отметить, что, судя по названию, ScanROM – в чистом виде ПЗУ, хотя это может быть не более чем устоявшаяся номенклатура.