Недавно созданному совместному российско-немецкому предприятию NSC-Nanosemiconductor удалось создать работающий полупроводниковый лазер, излучающий на длине волны 1,3 мкм в диапазоне температур от 0 до 80 градусов Цельсия. Точнее говоря, полупроводниковый лазер был создан в лаборатории Университета штата Мичиган на подложке, изготовленной специальным образом в NSC-Nanosemiconductor.
NSC-Nanosemiconductor, в создании которой приняли участие ученые из Санкт-Петербургского физико-технического института им. А. Иоффе, специализируется на изготовлении композитных полупроводниковых пластин методом нано-эпитаксии. Методы обработки полупроводниковых подложек NSC-Nanosemiconductor позволяют создавать так называемые «квантовые точки» (quantum dot), на основе которых и построены лазеры Университета штата Мичиган.
Продемонстрированные прототипы являются первой реализацией самоорганизующихся лазеров с применением квантовых точек, о возможности создания которых говорится уже достаточно давно. Состоящие из 400 3-микронных микрорезонаторов, эти полупроводниковые лазеры обладают высокой эффективностью и мощностью, узкой полосой частот в широком диапазоне температур – характеристиками, схожими со свойствами лазеров на атомных переходах.
Как отметил председатель научного совета NSC-Nanosemiconductor, Нобелевский лауреат, профессор СПФТИ им. Иоффе Жорес Алферов, создание полупроводниковых лазеров с применением квантовых точек является крупным достижением техники, воплотившей в жизнь многолетние теоретические изыскания.