Как мы уже неоднократно упоминали в обзорах рынков, высокий темп роста беспроводных устройств и бытовой электроники привлек многих производителей DRAM и они начали борьбу за рыночные доли в секторе флэш-памяти (среди последних присоединившихся стоит упомянуть Hynix, ST, Infineon и потенциально Micron). Это вынудило уже "сложившихся" производителей увеличивать плотность микросхем и начать снижать стоимость бита памяти.
Samsung занимает лидирующие позиции за счет выпуска микросхем SBC (Single Bit per Cell) архитектуры; недавно проведенные Semiconductor Insights анализы микросхем K9F2G08U0M подтвердили, что это – действительно первые микросхемы, выполненные с использованием норм 90-нм техпроцесса. Размер кристалла – 144 мм2 (у ближайшего конкурента, 2 Гбит MLC-микросхем, выполненных Toshiba по 130-нм техпроцессу – 149 мм2). Вероятно, никому не стоит напоминать, что если Samsung выпускает микросхемы с SBC-архитектурой, то Toshiba предпочитает MLC-архитектуру.
Одним из преимуществ последней архитектуры является возможность увеличения плотности при использовании существующих техпроцессов, и с дальнейшим потенциалом перехода на новые технологии, то есть, пока затраты на производство минимальны. Недавно Toshiba сообщила, что планирует вдвое увеличить плотность микросхем – выпустив 4 Гбит микросхемы с использованием норм 90-нм технологии. Если переход осуществится удачно, память Toshiba будет иметь преимущество в стоимости, что ставит под угрозу лидерство Samsung на рынке.
Что касается плотности, современный микросхемы NAND-флэш как правило имеют размер кристалла от 135 до 150 мм2. Как правило производители стараются на превышать размера кристалла 150 мм2 в микросхемах высокой плотности, в противном случае это чревато снижением количества годных к использованию микросхем.
Что касается проанализированных в последнее время SI микросхем флэш-памяти, то их характеристики приведены ниже. Стоит отметить, что они практически одинаковы – вне зависимости от типа архитектуры и вариантов исполнения вообще. За исключением микросхем HY27US08121MTIB (Hynix), которые при плотности 6,12 Мбит/мм2 ближе к 1 Гбит микросхемам. Это, кстати, дает основание предположить скорый анонс 1 Гбит микросхем. Являясь одним из самых молодых игроков на рынке флэш-памяти, Hynix приняла на вооружение грамотную стратегию представления в качестве начального продукта 512 Мбит микросхем, а затем – перехода к 1 Гбит решениям. Как бы то ни было, но компания пока не имеет рыночной доли, поэтому для получения своей части рынка Hynix придется приложить немало усилий.