Компания Renesas Technology сообщила о выпуске серии 512 Мбит микросхем superAND (AG-AND) —флэш-памяти HN29V512A, с пиковой скоростью записи около 4 Мб/с – для использования в электронике для потребительского сектора – мобильных телефонах и цифровых фотокамерах. Образцы HN29V512A0A, с 16-битной шиной, а также HN29V512A1A – с 8-битной шиной, будут поставляться в Японии с мая; в настоящий момент компания серийно выпускает 128 и 256 Мбит микросхемы superAND. В ближайших планах компании – разработка 512 Мбит микросхем с напряжением питания 1.8 В.
Напомним, что в середине ноября прошлого года Renesas сообщила о планах сотрудничества с Powerchip Semiconductor — тайваньский производитель памяти, согласно официальному пресс-релизу Renesas, будет производить как раз 1 Гбит чипы AG-AND флэш-памяти (Assist Gate-AND или AND со вспомогательным затвором). Эта память является разработкой самого совместного предприятия. Ячейка памяти этого типа выполнена с использованием технологии изоляции разработки Renesas и представляет собой комбинацию нескольких вспомогательных затворов, предотвращающих интерференции внутри ячейки, и плавающих затворов. Такая структура позволяет, по словам разработчиков, уменьшить размер ячейки и повысить быстродействие.
Для того чтобы почти вдвое увеличить выпуск микросхем флэш-памяти высокой плотности к осени 2004 года, Renesas планировала вложить в свое дочернее предприятие, Trenceti Technologies, 307,6 млн. долларов. После осуществления нового инвестиционного плана производительность Trecenti Technologies составит 12 тыс. 300-мм пластин в месяц (в конце декабря этот показатель составлял 9 тыс. пластин, причем, под AND-флэш память отводятся только 3 тыс. пластин). В пересчете на микросхемы новая производительность Renesas выглядят так: 5 млн. 1 Гбит микросхем AG-AND ежемесячно в следующем финансовом году против 1,8 млн. микросхем в 2003.
При правильном распределении ресурсов Renesas к 2005 году будет контролировать около 20% рынка флэш-памяти – за счет выпуска 4 Гбит чипов AG-AND.
Краткие характеристики микросхем:
| Характеристики | |||
| Наименование | Серия HN29V512A | ||
| HN29V512A0BABP | HN29V512A1ABP | ||
| Техпроцесс | 0.13 µм | ||
| Напряжение питания | 2.7 ~ 3.6 В | ||
| Шина | ?16-bit | ?8-bit | |
| Время доступа | Начального | 90 µс | |
| Последовательное чтение | 50 нс (мин.) | ||
| Скорость записи | 1.2 мс /2 Кб или 4 Кб | ||
| Корпус | 95-ball CSP (10 ? 11.5 ?1.2 мм) | ||