Компания iSuppli ранжировала производителей DRAM и опубликовала результаты своего обзора. Забегая вперед, отметим, что рейтинги компаний практически не изменились с 2002 года – за тем лишь исключением, что Samsung потеряла 3,6% рыночной доли, в целом же десятка "лидеров" выглядит так:
2003 | 2002 | Годовое изменение | |||||
Прибыль (млн. долл.) | Рыночная доля | Прибыль (млн. долл.) | Рыночная доля | Прибыль | Изменения рыночной доли | ||
1 | Samsung | 4,946.1 | 28.6% | 4,985.0 | 32.2% | —0.8% | —3.6ppt |
2 | Micron | 3,305.8 | 19.1% | 2,791.0 | 18.1% | 18.4% | 1.1ppt |
3 | Infineon | 2,810.6 | 16.3% | 1,966.0 | 12.7% | 43.0% | 3.5ppt |
4 | Hynix | 2,548.0 | 14.7% | 1,962.0 | 12.7% | 29.9% | 2.0ppt |
5 | Nanya | 795.3 | 4.6% | 844.0 | 5.5% | —5.8% | —0.9ppt |
6 | Elpida | 750.6 | 4.3% | 615.0 | 4.0% | 22.0% | 0.4ppt |
7 | Mosel Vitelic | 728.0 | 4.2% | 302.0 | 2.0% | 141.1% | 2.3ppt |
8 | Powerchip | 465.7 | 2.7% | 260.0 | 1.7% | 79.1% | 1.0ppt |
9 | Winbond | 321.0 | 1.9% | 477.0 | 3.1% | —32.7% | —1.2ppt |
10 | Oki | 131.0 | 0.8% | 119.0 | 0.8% | 10.1% | — |
Другие | 493.7 | 2.9% | 1,141.0 | 7.0% | —56.7% | —4.1ppt | |
Итого | 17,295.8 | 100% | 15,462.0 | 100% | 11.9% |
Не менее интересные сообщения поступают и от самих производителей. Так, например, компания Infineon Technologies планирует начать массовый выпуск чипов с использованием норм 0,11-мкм техпроцесса с 4 квартала 2004 года или 1 квартала 2005 года. И это – при том, что многие оптимистичные участники рынка прогнозировали, что серийный выпуск чипов по этому техпроцессу должен был начаться во втором квартале текущего года. В результате, обозреватели начали пересматривать свои прогнозы в отношении объемов поставок и цен памяти во второй половине этого года.
И в завершение – новость от лидера. Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске новых микросхем памяти высокой плотности, Uni-transistor Random Access Memory (UtRAM), предназначенных, вследствие невысокого энергопотребления, для использования в мобильных телефонах. Корпусировка микросхем этого типа – MCP, которая позволяет уместить в одном чипе до 6 типов памяти, включая DRAM, NAND-флэш, SRAM, а теперь – и UtRAM.
UtRAM работает с тактовой частотой 80 МГц, что на 50% выше, чем 54 МГц SRAM и имеет синхронный интерфейс, обеспечивающий последовательное чтение и запись. Как отмечается в пресс-релизе компании, UtRAM может использоваться в качестве буферной памяти для NAND-флэш или NOR-флэш.
Микросхемы UtRAM в настоящее время уже доступны в качестве инженерных образцов, серийное производство микросхем запланировано на второй квартал 2004 года.
По материалам Digitimes, Samsung