Infineon сообщила (уже) вчера о том, что присоединяется к инициативной группе X Initiative, продвигающих переход на выпуск чипов с проводниками, расположенными по диагонали, вместо традиционной сетки ´Manhattan´, и о выпуске первого чипа с диагональными внутренними проводниками.
Свой чип Infineon выпустила на заводе Corbeil-Essonnes по 130-нм нормам. Возможно, что в разработке этого чипа приняла участие и упоминавшаяся на днях Altis Semiconductor (совместное предприятие IBM и Infineon), расположенная неподалеку. Дизайн был выполнен Cadence, маски изготовлены DuPont Photomasks и Infineon, использованное фотолитографическое оборудование в свое время было закуплено у Nikon.
Напомним, что недавно к X Initiative присоединилась UMC, а первый чип по технологии X Architecture был произведен Toshiba.