Сегодня, с началом конференции International Solid-State Circuits в Сан-Франциско, IBM объявила о достижении рекордного уровня быстродействия в кремний-германиевых полупроводниковых устройствах. По данным IBM, созданный в лаборатории прототип кремний-германиевого мультиплексора обеспечивает пропускную способность 132 Гбит/с, а тактовая частота трансивера достигла 60 ГГц. Это рекордные показатели для полупроводниковой электроники, где до сих пор лидировал фосфид индия.
Пока, правда, не существует даже лабораторного варианта демультиплексора, способного работать с пропускной способностью 132 Гбит/с. Впрочем, по словам руководителя группы исследователей IBM Модеста Опрыско (Modest Oprysko), в лабораторных условиях ученым удалось добиться скорости успешной передачи данных в 108 Гбит/с.
Разработчики IBM полагают, что созданные кремний-германиевые микросхемы будут использованы в будущих коммуникационных устройствах, работающих со скоростью 100 Гбит/с по проводным и 1 Гбит/с по беспроводным каналам связи. Особенно подчеркивается, что кремний-германиевые чипы будут стоить на порядок дешевле устройств из арсенида галлия или фосфида индия.