Samsung представила новый чип DDR2 SDRAM плотностью 1 Гбит и два новых небуферизованных DDR2 SDRAM DIMM; объемом 1 Гб (шестнадцать 512 Мбит микросхем DDR2 667 SDRAM) и registered-DIMM 2 Гб (тридцать шесть 512 Мбит микросхем).
Как следует из пресс-релиза компании, новые модули памяти работают на тактовых частотах 400, 533 и 677 (только 1 Гб модули для настольных ПК) МГц, в настоящее время доступны выпускающиеся в ограниченных количествах пробные образцы. Таким образом, полная линейка памяти DDR2 SDRAM Samsung включает в себя 1 Гбит, 512 и 256 Мбит микросхемы, работающие на чаcтотах 400, 533 и 667 МГц, а также 19 комбинаций модулей на этих микросхемах (4 типа серверных RDIMM, 9 DIMM для настольных ПК [UDIMM в терминах компании] и 6 версий SO-DIMM); причем, сертификацию Intel получили 12 наименований чипов корейского производителя. 1-Гбит чипы DDR2 будут производиться на 300-мм заводе Fab 12 по нормам 0,10-мкм технологического процесса.