Компания Toshiba сообщила о разработке MCP-корпуса высотой 1,4 мм, в котором можно разместить до 9 слоев компонентов – при его разработке использовались последние достижения компании, в частности, изготовление чипов памяти высотой 70 нм (самый маленький размер для чипов, упаковываемых в MCP). До сих пор высота микросхем памяти, использовавшаяся в MCP компании, составляла 85 нм. Таким образом, в новом корпусе могут размещаться до 6 слоев микросхем памяти с тремя разделяющими слоями. До сих пор в 1,4 мм MCP Toshiba можно было разместить только шесть слоев компонентов, то есть, в терминах увеличения количества слоев в одном MCP, компания достигла 50% прироста.
В новый корпус Toshiba могут устанавливаться микросхемы памяти любого типа, включая SRAM, SDRAM, Psuedo SRAM, NOR-флэш, NAND-флэш и т.п.; таким образом, суммарная плотность микросхем в таком корпусе может достигать 776 Мбит. Помимо экономии места при размещении компонентов новый корпус "оптимизирует передачу данных между центральным процессором и MCP за счет использования системы тройной шины данных (triple-data bus system)", когда под каждый конкретный тип микросхемы памяти в корпусе отводится своя шина. Самая высокая скорость – у шины для чипов SDRAM и NOR-флэш, средняя скорость – у шины для SRAM и NOR-флэш, отдельная шина отведена под обмен данными с NAND-флэш.
Краткие характеристики корпуса:
- Комбинация микросхем – 6 микросхем памяти, три разделяющих слоя
- Поддерживаемые микросхемы — SRAM (8Mb x 1), SDRAM (128Mb x 1), NOR Flash Memory (128Mb x 3), NAND Flash Memory (256Mb x 1)
- Размеры корпуса – 11 x 14 x 1,4 мм
- Напряжение питания – 1,8 В
- Количество контактов – 255 (FBGA)
- Система трех шин данных
Напомним, что одной из последних конкурентных разработок этого рода являются MCP Samsung, позволяющие разместить до 6 слоев компонентов.