В прошлом году агентство оборонных исследований DARPA (defense advanced research projects agency) из недр которого, кстати, вырос интернет (первоначально — DARPAnet) сообщило о начале исследования возможности создания полупроводниковых чипов с оптическими внутренними связями. 1 января аналогичный проект затеяла Европа, и хотя бюджет программы, рассчитанной на три года, составляет всего 4,2 млн. Евро, в ней, помимо бельгийского университета Гента, лаборатории CEA/LETI (г. Гренобль), Лионского университета, технического университета Эйндховена и Греческого Национального Исследовательского Центра в Демокритосе, примут участие компании STMicroelectronics и IMEC, а также Tracit Technologies.
Европейский проект планирует конечной целью интеграцию оптических каналов связи в стандартные технологические процессы CMOS (КМОП, комплиментарный металл-окисел-полупроводник), откуда и его название – PICMOS. В PICMOS будут использованы светодиоды на основе фосфида индия и планарные волноводы, чтобы обеспечить возможность коммерческого выпуска в крупных масштабах.
Как ожидается, будут исследованы два основных подхода. В первом слой, содержащий оптические связи, будет произведен на отдельной пластине и прикреплен к основному полупроводниковому слою (wafer-to-wafer bonding). В этом случае в качестве волноводов будут использованы плоские полоски кремния на диэлектрике (выполненные по уже опробованной технологии SOI). Во втором подходе планируется использовать полимерные волноводы, наносящиеся на поверхность полупроводниковой пластины в конце CMOS-процесса. При этом фосфид индия наносится методом эпитаксии и в процесс добавляется несколько дополнительных этапов.
Параллельно, будут выработаны спецификации параметров PICMOS и область применения будущих чипов.