Японская компания Toshiba сообщила о начале поставок 512 Мбит чипов XDR DRAM, работающей на тактовой частоте 3,2 ГГц. Данная память предназначена для использования в оборудовании для широкополосных сетей, графических системах, бытовой электронике. Базируясь на технологии Rambus XDR, память Toshiba имеет пропускную способность в 8 раз выше, чем существующая high-end память для ПК.
Компания представила три версии чипов, TC59YM916AMG32A, TC59YM916AMG32B, TC59YM916AMG32C со следующими спецификациями:
| Наименования | TC59YM916AMG32A; TC59YM916AMG32B; TC59YM916AMG32C |
|---|---|
| Архитектура | 4 megabits word x 8 banks x 16 bits |
| Пиковая пропускная способность | 3.2 Гбит/с |
| Время такта | 40 нс; 50 нс; 60 нс |
| Питание | 1.8V VDD |
| Интерфейс | DRSL (Differential Rambus Signaling Level) |
| Латентность | 27 нс; 35 нс; 35 нс |
| Корпусировка | 1.27 x 0.8 мм BGA |
При использовании 128 битной шины, пропускная способность подсистемы памяти будет порядка 100 Гб/с, что в 16 раз выше, чем у существующих на сегодняшний день решений. Пропускная способность модулей XDIMM – 12,8-25,6 Гб/с, что в 4 раза выше, чем у модулей памяти DDR2 SDRAM с таким же числом контактов.
Топология XDR
К настоящему моменту лицензию на использование интерфейса памяти Rambus приобрели Samsung, Elpida, Toshiba, которые, являясь ведущими игроками на рынке, смогут обеспечить продвижение этой памяти на рынке. К тому же, Rambus обеспечила производителей всей информацией, необходимой для представления XDR в качестве mainstream-памяти: оговорены характеристики чипов XDR DRAM с программируемой длиной пакета, организации модулей, весь набор компонентов, включая буферы, тактовые генераторы, и т.п., представлена вся необходимая документация.