Исследователи лаборатории STMicroelectronics разработали технологию для полупроводниковой памяти, невосприимчивую к кратковременным ошибкам, возникающим в результате фоновой радиации, что, теоретически, позволяет преодолеть проблемы, с которыми производители сталкиваются при уменьшении размеров чипов.
Все дело в том, что с уменьшением размеров транзисторов при переходе на новые технологические процессы влияние ионизирующего излучения на ячейки памяти увеличивается, в результате чего практически невозможно отличить "1" от "0", записанных в ячейки. Кратковременные ошибки в памяти ПК могут возникать под влиянием, как уже отмечалось, естественного, фонового излучения, формируемого, например, радием или торием. Несмотря на то, что такие ошибки являются крайне редкими, производители памяти вынуждены реализовывать в чипах дополнительные цепи коррекции этих ошибок, что, в свою очередь, усложняет архитектуру чипов и увеличивает их стоимость.
Инженеры STMicroelectronics предложили такой вариант решения проблемы: поверх основной цепи чипа размещается конденсатор, что позволяет снизить риск самопроизвольного изменения состояния ячейки памяти под воздействием радиации. По словам руководства компании, новая технология будет использоваться в чипах SRAM, используемых в составе систем-на-чипе, применяемых в цифровых камерах и телефонах, со следующего года. В будущем технология вполне может быть использована при производстве чипов системной памяти (для ПК), процессоров.
Несмотря на то, что специалисты Intel уже успели высоко оценить технологию, предложенную STMicroelectronics, по их словам, необходимости в применении разработки в существующих чипах памяти нет – "это проблема, но, образно говоря, до раскаленной сковородки ей еще далеко. Риск возникновения кратковременных ошибок увеличивается только по мере поднятия ПК над поверхностью земли, например, в самолете".