Пусть в заголовках новостей все чаще мелькает иммерсионная литография, есть люди, считающие, что будущее за новой восходящей звездой – нано-импринт (nano-imprint) литографией, получившей признание на последней конференции и включенной в роадмэп ITRS (International Roadmap for Semiconductors). По версии ITRS, которой придерживается главный сторонник нано-импринт литографии MII (Molecular Imprints Inc.), новая технология может быть использована для производства чипов по 32-нм нормам где-то к 2009 году.
Появление нано-импринт литографии в роадмэпе ITRS вновь поднимает вопрос о том, успеют ли сторонники жестко-ультрафиолетовой (EUV) литографии подготовить свою технологию к внедрению в срок. Не так давно Intel, возглавляющая группу сторонников EUV-литографии, была вынуждена отодвинуть сроки ее появления на 2009 год вместо 2007. Стремительно развивающиеся иммерсионные технологии способны вообще поставить крест на EUV. Как мы сообщали вчера, иммерсионные литографические инструменты должны получить распространение уже к 2005-2006 году.
Нано-импринт литография на сегодняшний день рассматривается как нишевое решение для изготовления микро электромеханических устройств (MEMS), оптоэлектронных чипов и прочих продуктов. Однако исследуются возможности использования этой технологии и в других областях, в частности, по некоторым данным, Intel сейчас изучает перспективы применения ее для выпуска микропроцессоров.
Технологии нано-импринт литографии развивают небольшие пока компании EV Group, MII, Nanonex и Obducat. Из этих компаний наибольшую активность проявляет уже упоминавшаяся выше MII – в частности, на ее оборудовании Motorola продемонстрировала возможность создания 30-нм рисунков на полупроводниковой подложке, и это, по словам MII, еще не предел. MII также активно сотрудничает с немецким производителем оптики Carl Zeiss SMT и японской компанией Hakuto. Ну, а в качестве адвоката технологии перед ITRS выступила ITWG (Lithography International Technology Working Group).