Логические элементы будущего: на базе ячеек MRAM

До сих традиционным подходом к построению вычислительных машин было разделение узлов, обрабатывающих данные и узлов, их хранящих. Впрочем, ученые Андреас Ней (Andreas Ney) и Поль Друд (Paul Drude) из Берлинского Технологического Института считают, что можно объединить элементы, обрабатывающие и хранящие данные в один, построенный на основе магнитной запоминающей ячейки. Ученые утверждают, что их логический элемент может выполнять любую из четырех базовых логических операций: И (AND), ИЛИ (OR), И-НЕ (NAND) и ИЛИ-НЕ (NOR).

Логические элементы будущего: на базе ячеек MRAM

Структура логического элемента повторяет структуру запоминающей ячейки магниторезистивной памяти (MRAM), состоящей из двух ферромагнитных слоев, разделенных проводящим слоем. Если намагниченности обоих слоев совпадают (параллельны), электрическое сопротивление ячейки мало – это соответствует логической единице. Если намагниченности слоев направлены в разные стороны (если точнее, антипараллельны), то электрическое сопротивление ячейки велико, и это состояние соответствует логическому нулю.

Намагниченность, в свою очередь, меняет свою величину и направление, когда по входным каналам пропускается ток (больший некоторого порога). При использовании двух входных каналов ячейка (в зависимости от направления тока в выходном канале) ведет себя как элемент И или ИЛИ. А добавив третий входной канал, исследователи получили инвертор. При этом ячейка по-прежнему может быть использована как энергонезависимый запоминающий элемент.

2 октября 2003 в 12:07

Автор:

| Источник: CDRLabs

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс