Как сообщила NEC в пятницу, инженерам компании удалось создать технологию, позволяющую стабильно выращивать углеродные нанотрубки и изготавливать транзисторы на их основе. По утверждению компании, транзисторы на нанотрубках обладают более чем в десять раз большей крутизной характеристики, чем кремнивые МОП(металл-окисел-полупроводник)-транзисторы.
NEC считает, что сможет выпустить первые коммерческие микросхемы на базе углеродных нанотрубок уже к 2010 году. Первый шаг к этому уже сделан – разработан процесс химического замещения в парах (CVD) и найден катализатор, позволяющий выращивать нанотрубки на поверхности кристалла кремния. При этом удалось осуществить контроль над ориентацией нанотрубок.
Второй шаг, который предстоит совершить – это создать электроды по возможности с низким контактным сопротивлением. Компания ставит перед собой задачу создать такой транзистор, крутизна характеристики которого будет примерно в 20 раз больше, чем у кремниевых МОП-транзисторов.