IBM сообщила о новом прорыве в технологии обработки кремния под новые процессоры, который по словам исследователей, позволит увеличить тактовую частоту чипов еще на 35%.
Речь идет о технологии, названной "Strained Silicon" (деформированный кремний), которая заключается в нанесении дополнительного, решетчатого слоя кремниево-германиевого компаунда на "рабочий" слой кремния, что позволит улучшить эффективность работы каждого транзистора.
Первые "деформированные" чипы с тактовой частотой 4 ГГц – 5 ГГц появятся ориентировочно в 2003 году и будут использованы в серверных процессорах IBM.
