Несмотря на то, что компания будет готова начать массовое производство чипов уже в начале 2004 года, Samsung пока не видит приложений, под которые есть необходимость создания таких емких чипов. Разработка Samsung носит больше академический интерес: инженерам компании для 4-гигабитного чипа памяти пришлось работать с транзисторами размером всего 80 нм, созданными по технологии трехуровневого химического осаждения паров на подложку (Vapor Deposition, CVD).
4-гигабитный прототип имеет площадь 645 кв. мм – вдвое больше производимых в настоящее время чипов. С помощью новых, разработанных в Samsung элементов – транзисторов, конденсаторов и проводников, по заявлению инженеров компании, можно будет добиться размеров современных чипов даже для 8-гигабитных чипов при использовании 70 – 80 нм техпроцесса, правда, для этого предстоит доработать технологию создания конденсаторов MIM (metal-insulator-metal).
Все это ждет нас в будущем, а пока компания заявила, что будет применять новые наработки при производстве обычных, 256-мегабитных и 512-мегабитных чипов DDR SDRAM.
Источник: EE Times