На проведенной вчера для прессы и аналитиков конференции, Intel сформулировала свои взгляды на будущее энергонезависимой памяти, огласив две технологии, на разработке которых намерена сконцентрировать свое внимание. Это – технология памяти на аморфных полупроводниках (ovonics unified memory, OUM) и технология памяти на полимерных сегнетоэлектриках (polymeric ferroelectric, FeRAM, или, как ее еще называют, PFRAM).
Intel уже давно, без особой помпы, работает со своими партнерами - Thin Film Electronics ASA и Ovonyx Inc., - над этими технологиями. Intel также интересуется работами над магнитной памятью (MRAM), в основном продвигаемой IBM, Infineon и Motorola, однако считает, что у MRAM "более длительный цикл записи и высокая цена".
FeRAM, по замыслу компании, должна со временем заменить NOR флэш-память и статическую (SRAM) память в сотовых телефонах. По словам Intel, стоимость производства FeRAM составляет лишь одну восьмую от себестоимости производства современных CMOS чипов.
Было рассказано о достигнутых за несколько лет исследований успехах шведской Thin Film Electronics в разработке специальных групп полимеров для устройств памяти FeRAM, а также о начале тестирования 4 Мб чипов OUM памяти, нацеленной, в первую очередь для применения в устройствах хранения данных. Кстати, в OUM памяти в качестве диэлектрика будет использоваться примерно тот же полимер – халькогенид (chalcogenide), который в настоящее время идет на изготовление перезаписываемых дисков CD-ROM и DVD. Время считывания/записи тестовых образцов 4 Мбит чипов OUM составляет около 100 нс.
Источник: EE Times