Mitsubishi Electric представила 0,15 мкм DRAM

Mitsubishi Electric анонсировала выпуск образцов второго поколения 256 Мбит чипов DDR SDRAM (DDR266 и DDR200) и SDRAM (PC166 и PC133), выполненных с соблюдением норм 0,15 мкм техпроцесса. Использование более прецизионного технологического CMOS процесса, чем ранее, позволило уместить новые 256 Мбит чипы в ультракомпактные корпуса TSOP (sTSOP), а также в стандартные TSOP Type II (площадь монтажа всего 140 кв. мм).

Помимо начала выпуска 256 Мбит чипов в корпусе sTSOP, теперь и вся линейка производимых Mitsubishi Electric продуктов памяти DRAM (64-, 128- и 256 Мбит SDRAM, 256 Мбит DDR SDRAM) будет доступна в новом корпусе. Организация новых 256 Мбит чипов SDRAM и DDR SDRAM - 64M x 4, 32M x 8 и 16M x 16. Начало массового производства новых чипов намечено на четвертый квартал 2001 года, образцы по цене $15 - $22 за штуку будут доступны в октябре.

29 августа 2001 в 23:05

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс