1 Гбит NAND флэш-память от Samsung

Samsung Electronics объявила о начале поставок первых в мире инженерных образцов 1-гигабитных чипов флэш-памяти NAND типа, выполненных с соблюдением норм 0,12 мкм технологического процесса.

1 Гбит NAND флэш-память от Samsung

Первоначально, 1 Гбит чипы флэш-памяти NAND от Samsung будут выпускаться в 3,3 В исполнении с 8-битной I/O шиной; в начале 2002 года появятся образцы с питанием 1,8 В и 16-битным I/O интерфейсом. Массовое производство также стартует в самом начале 2002.

По заявлению Samsung, новые 1-гигабитные NAND чипы имеют расширенную до 2 килобайт на страницу организацию прошивки против 512 байт у стандартных чипов; стирание производится поблочно по 128 Кб, в отличие от стандартных 16 Кб; помимо этого добавлена функция кэширования записи. Ценовой информации о новых чипах от Samsung пока нет.

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс