НА Intel Developer Forum Hynix Semiconductor показала, что у компании еще "есть порох в пороховницах", представив образцы 512-мегабитных чипов DDR SDRAM, произведенных с соблюдением норм 0,13 мкм техпроцесса.
В настоящее время, компания поставляет DDR SDRAM чипы емкостью 64, 128 и 256 Мбит. 64- и 128-мегабитные чипы основаны на 0,18 мкм техпроцессе, 256-мегабитные – на 0,15 мкм. 512 Мбит чипы DDR SDRAM Hynix сразу намерена выпускать по нормам 0,13 мкм техпроцесса. Начало массовых поставок 512 Мбит DDR SDRAM чипов намечено на ноябрь.
Помимо этого, компания сообщила о выпуске низкопрофильных 168-контактных SDRAM и 184-контактных DDR SDRAM модулей, соответствующих 1,2-дюймовым ограничениям JEDEC на подобную продукцию и нацеленных на рынок серверного и сетевого оборудования. Емкость новых SDRAM (PC100/133) и DDR SDRAM (PC1600/2100) модулей составляет 128, 256 и 512 Мб, а также 1 Гб.
Здесь же, на форуме, было высказано отношение Hynix к уже производимой ею памяти RDRAM. По словам представителя компании, RDRAM никуда не денется и будет присутствовать на рынке. Но – в своей нише рынка. Источник: Silicon Strategies