Motorola анонсировала сегодня новую экономичную технологию для выпуска недорогих высокочастотных оптических чипов. Научно-исследовательское подразделение Motorola разработало новый способ объединения двух материалов, применяемых при выпуске микросхем: кремния и арсенида галлия (GaAs).
Давно известно, что чипы, выполненные исключительно на основе кремния, дешевле и надежнее любых других; однако, арсенид галлия позволяет создать полупроводники, имеющие граничную рабочую частоту, в 40 раз превышающую максимум кремниевых образцов. Сочетание двух этих материалов – сложная технологическая задача. Согласно сообщению Motorola, в процессе разработки было получено более 270 патентов, которыми, скорее всего, по мнению аналитиков, заинтересуются такие производители чипов, как Intel, Texas Instruments и Advanced Micro Devices.
Итак, кремниево-арсенид-галлиевая пластина обойдется производителю всего в одну десятую стоимости арсенид-галлиевой пластины, при этом сохраняются все скоростные показатели. Результатом коммерческого внедрения технологии станет значительное удешевление себестоимости некоторых электронных продуктов - сетевых устройств, накопителей, полупроводниковых лазеров, медицинского оборудования, радаров, автомобильной электроники и пр.
В дальнейших планах Motorola – разработка и лицензирование технологии выпуска чипов на основе фосфида индия (indium phosphide) и нитрида галлия (gallium nitride) – компаундов, близких по свойствам к арсениду галлия. Кремний-арсенид-галлиевая же технология пока доводится до приемлемого уровня, а первые чипы ожидаются в 2002 году.