Mitsubishi Electric объявила о разработке нового low-k материала для применения в качестве межслойного диэлектрика при производстве полупроводников по 0,07 мкм техпроцессу.
Ни для кого не секрет, с каким списком новых проблемам столкнулись производители чипов при переходе даже на 0,13 мкм нормы, а при переходе на 0,10/0,07 мкм, как показывают сообщения, их еще больше. Например, традиционные диэлектрики с коэффициентом low-k порядка 2,3 абсолютно непригодны для таких норм. По словам исследователей из Mitsubishi Electric, полученный ими полимер полиборазилен polyborazylene (насколько я понял, производное нитрида бора с полимерной структурой) имеет значение k порядка 1,85 – 1,87, выдерживает термообработку до 465 градусов Кельвина, и, самое главное, имеет подходящие характеристики жесткости и упругости, не теряемые в процессе размельчения и шлифовки. Словом, полиборазилен, уже испытанный в лаборатории Mitsubishi в качестве диэлектрика для многослойных плат, является пока что одним из лучших материалов для применения в 0,07 мкм техпроцессе.
Заглядывая дальше 2005 года, представители Mitsubishi пока затрудняются в предположениях, сможет ли этот материал быть использован при создании 60 нм и менее узлов. Однако, так далеко заглядывать пожалуй, еще рано. Зато в интервью EE Times, Mitsubishi не преминула напомнить о том, что планирует запустить свой 100 нм техпроцесс уже в 2003 году.
Источник: Silicon Strategies