Global Communications Semiconductor, еще одна из чисто фабричных компаний, вчера анонсировала, что ее новый индий-галлий-фосфорный (InGaP) HBT (биполярный гетеротранзистор)-процесс прошел все проверки, и компания готова к производству новых высоконадежных силовых и управляющих компонентов, таких как усилители для сотовых телефонов, усилители напряжения для 10 Гбит/с сетей, и чипы, управляющие работой лазера.
Компоненты, построенные по новому процессу, обладают высокой надежностью: напряжение активации - 1,2 еВ, наработка на отказ - 10 млн. часов при температуре 125 C.
Теперь компания предоставляет заказчикам услуги производства по InP, InGaP и PHEMT процессам.