Samsung: образцы 1,066 ГГц RDRAM

Сегодня Samsung рапортовала о разработке процесса выпуска 576-мегабитных чипов RDRAM с тактовой частотой 1066 МГц и применением норм 0,12 мкм технологического процесса. Чипы, из которых будут составляться модули RDRAM RIMM емкостью 1 Гб и более, найдут применение в новых Pentium 4 системах с FSB 533 МГц, выпуск которых Intel наметила на следующий год. Новые 1,066 ГГц модули нацелены на рынок high-end ПК, рабочих станций и серверов.

0,12 мкм техпроцесс, помимо достижения достаточно стабильной работы чипов на столь высокой частоте, позволит, по мнению специалистов из Samsung, наконец-то значительно снизить стоимость модулей RDRAM – главный, чаще всего подвергаемый критике параметр этого типа памяти.

Samsung планирует начать массовое производство 576 Мбит чипов Rambus DRAM во втором квартале 2002, а в ближайшие четыре года увеличить тактовую частоту RDRAM до 1,2 ГГц и довести производительность до 9,6 Гб/с.

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс