Сегодня Canon объявила о значительном прогрессе в разработке 157 нм сканеров для 70 нм литографии.
Как мы уже неоднократно сообщали, главной причиной задержки, вставшей на пути разработки оборудования для производства чипов по новому, более прецизионному техпроцессу, стали проблемы с проекционной оптикой, точнее, проблемы с двойным преломлением лучей (intrinsic birefringence, IBR), присущие линзам из фторида кальция (CaF2).
Подразделение Semiconductor Equipment компании Canon U.S.A. сделало заявление, в котором рапортовало о значительном продвижении на пути разработки 157 нм проекционной оптики, в частности, серьезных модификациях конфигурации оптических систем, позволяющих обойти IBR. И теперь, по словам представителей компании, они будут готовы предоставить первое поколение систем экспозиции для узлов порядка 70 нм на всестороннее испытание и опробование уже в первой половине 2003 (кстати, первым потребителем, твердо заявившем о приобретении новой системы, стала германская Infineon Technologies AG, намеренная запустить производство по техпроцессу от Canon уже в начале 2005).
Резюмируем: разработка катадиоптрических линз, о которой мы писали летом, прошла успешно, о чем Canon и сообщила в своем регулярном SubMicron Focus циркуляре, и теперь, на основе этой оптики будет разрабатываться промышленная система FPA-5800FS1. Пока что, компания гарантирует, что новая оптика будет избавлена от эффекта преломления лучей в рамках 100 нм литографии, а работа над более прецизионным процессом будет построена на том же принципе – главное, что он оказался верным. Если проблема IBR действительно решается путем оптимизации ориентации линз – что ж, думается, остальные производители литографического оборудования также в скором времени рапортуют о своих вариантах решения проблемы. Будем надеяться.Источник: Silicon Strategies