Mitsubishi Electric анонсировала выпуск новых Registered модулей DIMM семейств DDR SDRAM и SDRAM емкостью до 2 Гб, а также 512 Мб SO-DIMM модулей PC2700 для ноутбуков.
В новинках использованы 512 Мбит и 256 Мбит DDR и SDRAM чипы, производимые Mitsubishi Electric по 0,15 мм CMOS техпроцессу. Полностью линейка новых продуктов памяти выглядит следующим образом:
- MH56D72KLN — 2 Гб модуль DDR SDRAM, выполнен на 512 мбит чипах в упаковке TSOP II
- MH56S72VJN — 2 Гб модуль SDRAM, выполнен на 512 Мбит чипах в упаковке TSOP II
- MH28D72ALTG — 1 Гб модуль DDR SDRAM, выполен на 256 Мбит чипах в упаковке sTSOP
- MH64S64APFH — 512 Мб модуль SDRAM SO-DIMM, выполнен на 256 Мбит модулях в упаковке sTSOP
Образцы 2 Гб модулей DIMM от Mitsubishi будут доступны в декабре, массовые поставки ожидаются в первом квартале 2002 года. Образцы 1 Гб модулей DIMM и 512 Мб модулей SO-DIMM появятся в ноябре, массовое производство также начнется в начале 2002 года.