Winbond: 512 Мбит DDR чипы и новые друзья

Winbond Electronics объявила о начале производства новых 512 Мбит чипов памяти DDR SDRAM с использованием норм 0,13 мкм техпроцесса. Производство 512 Мбит чипов по такому техпроцессу, несомненно, позволит Winbond претендовать в следующем году на лидирующее место среди тайваньских компаний, выпускающих DRAM.

По иронии судьбы, Toshiba, чьи технологии применяются сейчас на новых производственных линиях Winbond, теперь становится ближайшим партнером Micron, а Winbond, как стало известно, заключит альянс с немецкой Infineon, так и не нашедшей общий язык с Toshiba.

Как стало известно, сразу же после окончания переговоров с Micron, Toshiba объявила об окончании партнерской программы с Winbond, мотивируя это своим уходом с рынка массовой DRAM. Вслед за этим прозвучало заявление самой Winbond о том, что следующий, 0,11 мкм технологический процесс, будет разрабатываться и внедряться уже с новым партнером - Infineon. По предварительным данным, модернизация оборудования обойдется Winbond примерно в $150 млн.

Источник: EB News

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс