GaN - довольно перспективный материал, который используется при создании светодиодов, излучающих синий свет, а также лазерных диодов синего (400-450 нм) диапазона. Но появление примесей в GaN при его выращивании ограничило его использование в радиочастотной микросхемотехнике.
Новая технология, способная вырастить читстый GaN на подложке, разработана Nitronex Corp. Называется эта технология выращивания кристаллов пендеоэпитаксией. С помощью пендеоэпитаксии стало возможным выращивание GaN на 4- и 6-дюймовых кремниевых пластинах. С помощью этой технологии можно выращивать GaN также на сапфировых и SiC пластинах, которые гораздо дороже обычного кремния.
GaN микросхемы показывают отличные результаты по сравнению с другими технологиями, применяющимися для построения радиочастотных и высокомощных микросхем.
Плотность заряда в GaN в 6 раз превышает показатели кремния, поэтому GaN усилительные транзисторы могут иметь выходную мощность в 100-200 Вт, что очень ценно для таких применений, как, скажем, передатчик базовой станции. Причем выходные характеристики GaN еще более линейные, чем у токсичного GaAs и дорогого InP. Кроме того, частотные свойства у GaN не отстают от энергетических - GaN транзистор работает на частотах до 40 ГГц.
Естественно, первыми продуктами Nitronex станут высокомощные дискретные транзисторы. А затем компания планирует пойти дальше и создавать интегральные схемы на GaN, а также комбинированные большие ИС.
Очень ярко выразился по этому поводу глава Nitronex Боб Линч (Bob Lynch). "25 лет назад мы знали о существовании такого материала, как нитрид галлия, но никто не мог сделать из него работающий транзистор. Изучая его физические свойства мы думали, что если бы кто-нибудь додумался о способе выращивания GaN кристаллов, то сбылись бы мечты инженеров-разработчиков микросхем. А теперь эти мечты, похоже, стали реальностью".
Что тут добавить - перспективы у GaN полупроводниковой техники определенно очень радужные. Как и у молодой компании, которая успела запатентовать свою технологию.
Источник: Silicon strategies