Компании IBM и STMicroelectronics намерены выйти на рынок силовых интегрированных ИС с помощью SiGe и HBT техпроцессов. Первая на прошлой неделе уже представила три модели SiGe усилителей для мобильных телефонов, а STMicro в апреле собирается представить усилители на процессе HBT (биполярный гетеротранзистор).
Мы уже не раз говорили, что эти процессы гораздо дешевле, чем стандартный для радиочастотных компонентов GaAs процесс, однако, до последнего времени они проигрывали по многим показателям, и в массовое производство не выходили.
Пока что ведущие производители радиочастотных ИС (Conexant, Hitachi, RF Micro Devices) в стороне от процессов, основанных на кремнии. Это вызвано недоверием производителей телефонов к показателям SiGe и HBT микросхем. Хотя на современной стадии развития SiGe и HBT по многим показателям сопоставимы с GaAs, а стоят гораздо меньше и могут быть интегрированы в логические ИС, сделанные из кремния. Однако, если IBM уже решила выйти на этот рынок, то это неспроста. Консервативная политика этого гиганта IT-индустрии в большинстве случаев все же брала свое. IBM уже сейчас может выпускать SiGe ИС на 200 мм пластинах, а в конце года может перевести и на 300 мм. STMicro же, уверена, что HBT, хоть и немногим дороже SiGe, но лучше удовлетворяет современные требования.
В любом случае, производители радиочастотных ИС, пока говорят, что не полностью готовы к переходу с GaAs. Понятно, что подпортить свою репутацию хоть и дешевыми, но не такими надежными и качественными продуктами никто не собирается. Вот что по этому поводу говорит представитель лидера рынка, RFMD: "Мы пока попридержим SiGe в нашем арсенале маркетинговых ходов. Мы еще не уверены, что технология соответствует жестким требованиям рынка". А вот новички рынка, к примеру Triquent, уже в прошлом году представили SiGe усилители. Это, впрочем, никого не удивляет.
Посмотрим, как ситуация будет развиваться в этом году. Возможно, кто-то из ключевых игроков и обратит внимание на "альтернативные" процессы.
Источник: EB News