На этой неделе Oki Semiconductor намерена представить оптоэлектронные модуляторы OM5653C-30B и OM5753C-30B для оптоволоконных сетей со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с, которые изготавливаются на основе не совсем привычного материала - арсенида галлия-фосфида индия (GaInAsP). Сейчас, конечно, многие компании заняты разработкой компонентов на основе фосфида индия для скоростей 40 Гбит/с, однако, традиционным является использование модуляторов на основе ниобата лития (LiNO3).
Oki решила отказаться от LiNO3 в связи с тем, что устройства на основе ниобата лития требуют приложения высокого напряжения, что ведет к большим размерам устройств. Модуляторы Oki будут иметь рабочее напряжение 2 - 3 В и будут в четыре раза меньше, чем устройства на основе LiNO3.
Для каждого высокоскоростного канала требуется наличие двух модуляторов. Первый модулирует лазерное излучение, создавая импульсы с частотой стробирования 40 ГГц, второй осуществляет преобразование сигналов в двоичный код с возвращением к нулю. Если же обе функции возложить на один и тот же модулятор, то при перекрестном обращении неизбежно возникнут сбои.Принцип действия модуляторов - поглощение света при определенном значении приложенного постоянного напряжения смещения. При отсутствии напряжения смещения, свет проходит сквозь кристалл без значительного уменьшения интенсивности.
Oki сообщила, что, по крайней мере, один потенциальный клиент компании согласился протестировать модулятор в своей сети. Стоимость устройств пока неизвестна.
Источник: EE times