На международной конференции по полупроводникам (ISSCC) Toshiba и Samsung, не сговариваясь, представили свои 1 Гбит микросхемы NAND флэш-памяти. Чипы обеих компаний будут производиться по 0,13 мкм техпроцессу, однако ни Toshiba, ни Samsung пока не сообщили, когда начнется массовый коммерческий выпуск.
Использование 1 Гбит чипов, расположенных по обе стороны на карте флэш-памяти, позволит создавать карты емкостью 256 Мб. Не вдаваясь в технические подробности, можно сказать следующее: основные различия между микросхемами Toshiba и Samsung заключаются в скоростях записи и перезаписи, темпах передачи информации и напряжении питания. Напряжение питания микросхем Samsung составляет 1,8 В, однако, для ускорения скорости записи, компания использует импульсы, до 20 В, создаваемые при помощи диодных умножителей напряжения. Еще Samsung применяет программируемый кэш, загружающий следующую страницу памяти, пока используется текущая.
Напряжение питания микросхем Toshiba равно 2,7 В. Компания также применяет кэш, но для записи, скорость которой достигает 10,6 Мб/с при скорости чтения 20 Мб/с. Еще в Toshiba отмечают, что сумели уменьшить количество циклов, требуемых для выполнения многих операций, до трех, вместо четырех. Таким образом, время записи ячейки вместо 200 нс может быть уменьшено до 150 нс. Источник: Silicon Strategies