Cutting Edge Optronics, подразделение TRW, и Sandia National Laboratories объявили об успешном окончании демонстраций применения мощных LPP-EUV (Laser Produced Plasma-Extreme Ultraviolet) источников света в литографии. В ходе демонстрации лазер, разработанный TRW, испытывался на тестовом стенде Engineering Test Stand (ETS) разработки Sandia, Lawrence Berkeley и Lawrence Livermore National Laboratories.
В настоящее время перспективы использования жесткого ультрафиолетового лазерного излучения (Extreme Ultraviolet, EUV, длина волны – 13,4 нм) в фотолитографии еще только начинают изучаться, хотя разговоры идут уже довольно давно, поэтому результаты Cutting Edge Optronics дают надежду на скорое появление новых методов в этой индустрии.
Для излучения света длиной волны 13,4 нм 500-Вт лазер производства TRW фокусировался на истекающую струю ксенона. При этом утверждается, что мощность излучения газовой плазмы, полученной таким способом, в 30 раз больше, чем у предыдущих ультрафиолетовых источников, использованных на ETS. Большая мощность позволяет уменьшить время выдержки со 120 с до 4 с. Кроме этого, результатом демонстрации стало и то, что можно осуществлять выдержку в среде, подходящей для литографической оптики. Во втором квартале 2002 г. исследователи планируют осуществить похожую демонстрацию, только с 1500-Вт лазером.
Так что будем ждать дальнейших известий. Впрочем, если учесть, что спонсором разработки ETS выступила компания Extreme Ultraviolet Limited Liability Company (EUV, LLC), консорциум, состоящий из таких гигантов индустрии, как Intel, AMD, Motorola, Micron Technologies, Infineon и IBM, то ждать, наверное, придется не так уж и долго.
Источник: Semiconductor Fabtech