TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) сообщила о начале разработок магниторезистивной оперативной памяти (MRAM). Таким образом, TSMC присоединяется к своеобразной гонке за первенство в этой области, в которой уже участвуют IBM, Infineon и Motorola.
Уже сейчас многие вполне заслуженно называют MRAM технологией памяти следующего поколения. Во-первых, это энергонезависимая память, так же как флэш-память или ферроэлектрические запоминающие элементы. Во-вторых, это быстрая память – по данным IBM, время записи в MRAM не превышает 2,3 нс, что более чем в 1000 раз быстрее, чем время записи в флэш-память и в 20 раз быстрее скорости обращения к ферроэлектрической памяти. Время чтения произвольного бита составляет не более 3 нс, что в 20 раз меньше, чем для DRAM, причем потребляемый ток равен около 2 мА, что меньше тока потребления DRAM в 100 раз. Кстати, MRAM не так уязвима к внешнему излучению, как SRAM, поэтому ожидается, что первая MRAM-память будет использована преимущественно в разнообразных мобильных устройствах и спутниковой аппаратуре.
Однако TSMC, скорее всего, сосредоточится на встраиваемой MRAM-памяти для мобильных устройств, где не нужна большая емкость памяти, в отличие от упомянутых компаний-конкурентов. Для создания нового типа памяти TSMC заключит контракт с правительственной исследовательской организацией, Electronics Research and Service Organization (ERSO), на плечи которой и ляжет основная тяжесть работ – разработка структуры ячеек, расположение и методы обработки тонких магнитных пленок.
Пока не известно, к какому сроку TSMC и ERSO планируют закончить разработки. Так что несмотря на все преимущества MRAM, о ней пока остается только мечтать. Motorola планирует выпустить пробный образец 4-Мбит MRAM-чипа в 2003 году, и, возможно, к 2004 году начнет коммерческое производство. В прошлом году Motorola продемонстрировала 256-кБит чип, произведенный по 0,6-мкм CMOS-процессу. Что же касается IBM, то в настоящее время компания тестирует 1-Мбит чип, произведенный по 0,18-мкм техпроцессу. IBM обещает начать коммерческое производство 0,13-мкм 256-Мбит чипов к 2004 году.