Низковольтные 512 Мбит чипы SDRAM от Samsung

Samsung Electronics объявила о начале поставок образцов 512 Мбит низковольтных чипов SDRAM для мобильных приложений - сотовых телефонов третьего (3G) поколения, PDA и цифровых камер. Низковольтные 512 Мбит чипы SDRAM от Samsung

Как и остальные продукты памяти для мобильных устройств, новые 512 Мбит чипы SDRAM от Samsung - K4S51163LC, имеют напряжение питания 2,5 В, потребляя при этом в ждущем режиме вполовину меньшую мощность, чем стандартные чипы SDRAM. Для снижения потребляемой энергии в новых чипах применены технологии Partial Array Self Refresh (PASR) и Temperature Compensated Self-Refresh (TCSR).

Новые чипы изготавливаются Samsung с применением 0,15 мкм техпроцесса и поставляются в 54-контактном BGA корпусе с 16-битной шиной или в 90-контактном BGA корпусе с 32-битной шиной.

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс