Российские технологии в качестве альтернативы strained silicon

В Сети появилось довольно странное сообщение о том, что английская компания Sceptre Electronic объявила о совместной разработке с российскими учеными новой технологии создания полупроводниковых микросхем, которая может стать альтернативой применения сжатого кремния и о том, что компания утверждает, что новая технология позволит значительно улучшить быстродействие транзисторов без необходимости уменьшения величины элемента.

Странность этого сообщения во-первых, в том, что такой компании в Англии не существует и, во-вторых, в сообщении дается ссылка на загадочный Российский Институт Микроэлектроники (Russian Institute for Microelectronics). Однако по имени Лоена Рицци (Loen Rizzi) из Sceptre, в котором также была допущена ошибка, удалось выяснить, что на самом деле компания называется Sceptre Communications и что она действительно давно работает в России, правда сотрудничает она в основном с Московским Центром Космической Связи. Но, что интересно, Институт Проблем Технологии Микроэлектроники и Особо Чистых Материалов РАН действительно уже давно работает над проблемами электронной нанолитографии, о которой говорится в тексте сообщения.

Итак, сущность новой технологии состоит в периодическом допировании транзисторных каналов вместо равномерного, по всей длине. В результате периодического допирования подвижность носителей заряда получается больше, а, следовательно, быстродействие будет выше.

Утверждается, что для создания каналов использовался метод допирования пучком ионов (Running Ion Beam, RIB), который создает волнообразные структуры-маски на поверхности с периодом от 20 до 100 нм. Также сообщается, что технологию можно уже сейчас применять в обычных MOS-процессах для создания микросхем с размером элемента вплоть до 8 нм.

И, в заключение, компания IQE проявила заинтересованность в RIB-технологии в качестве альтернативы технологии strained silicon. Компания планирует к лету тщательно рассмотреть новый процесс, который, как ожидается, позволит обрабатывать до 36-38 пластин в час.

Автор:

| Источник: Parasound

Все новости за сегодня

Календарь

апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс