ATMOS и TSMC: даешь 90-нм DRAM!

В продолжении темы о 0,09-мкм технологическим процессах сообщим, что корпорация ATMOS и TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co) подписали соглашение о развитии, проверке и тестировании встраиваемой DRAM-памяти в 90-нм процессах. Память будет построена на базе технологии SoC-RAM от ATMOS, а производство будет осуществляться на основе 90-нм процесса Nexsys, детища TSMC.

По соглашению, TSMC займется производством тестовых модулей встраиваемой памяти ATMOS SoC-RAM по принципу один транзистор-один конденсатор. В свою очередь, ATMOS обещает завершить разработку встраиваемой памяти для 90-нм процесса и представить законченный вариант к лету.

В TSMC сообщили, что применение технологии ATMOS SoC-RAM позволяет интегрировать до 128 Мбит в SoC (систему на чипе).

Автор:

| Источник: PC Watch

Все новости за сегодня

Календарь

апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс